全自動晶圓刻蝕機在半導體刻蝕機臺對晶圓進行干法刻蝕的過程中，由于晶圓邊緣的er(etch rate，刻蝕速率)比中心處的er快，為了**晶圓刻蝕的均勻性，會在機臺的內部設置聚焦環(focus ring)，聚焦環被安裝在反應離子蝕刻室中晶片周圍的平臺上，以保護晶圓的邊緣，降低晶圓邊緣區域的刻蝕速率，**晶圓表面刻蝕的均勻性，如圖1所示出的刻蝕機臺內部腔體結構中聚焦環1的位置，注入氣體4經過分流器3注入腔體中對晶圓2進行刻蝕制程的聚焦環1也隨之損耗，晶圓2邊緣刻蝕速率較快，同樣地，加快了聚焦環1的消耗，使用一段時間后，需要機臺及時進行pm，以更換新的聚焦環，這樣一來縮短了mtbc，影響了機臺的產能。

全自動晶圓刻蝕機特點：

1.真空腔規格: 材質316不銹鋼 L270mm*W280mm*H200mm

2.電極：平板氣浴電極，材質6061-T6鋁合金    功率電極：1    接地電極：1

3. 電極尺寸：230mm *230mm（*大可處理產品尺寸，可處理8寸晶圓）

4. 全自動晶圓刻蝕機頻率：13.56MHz

5. 功率：0-300W連續可調，可在設備運行中隨時調整參數。

6. 氣體控制：MFC質量**計， 0-500ml 2路氣體

7. 真空度測量儀器： 2色顯示式高精度數字式壓力開關（SMC）

8. 全自動晶圓刻蝕機控制方式：7寸工業控制觸摸屏，全手動控制和全自動控制兩種控制方式

9. 控制軟件功能：界面顯示實時工作狀態

10.設備規格尺寸：長600mm 寬600mm 高700mm

11. 全自動晶圓刻蝕機電極板配置：配備3個卡槽位（接地電極），極板間距離可調整，可按需求調整極板位置