全自動晶圓拋光后清洗機有著極高的制程環境控制能力與微粒去除能力，市場份額相對小。

一般采取旋轉噴淋的方式，用化學噴霧對單晶圓進行清洗的設備，相對自動 清洗臺清洗效率較低，產能較低，但有著極高的制程環境控制能力與微粒去除能力。

全自動晶圓拋光后清洗機可用于多種工藝中，包括擴散前清洗、柵極氧化前清洗、外延前清洗、CVD 前清洗、氧化前清洗、光刻膠清除、多晶硅清除等多個清洗環節和部分刻蝕環節中。

還有另一種單晶圓清洗設備采取超聲波清洗方式，市場份額相對小

全自動晶圓拋光后清洗機在應用環節上沒有較大差異，兩者的主要區別在于清洗方式和精度上的要求。

簡單而言，單晶圓清洗設備是逐片清洗，自動清洗臺是多片清 洗，自動清洗臺的優勢在于設備成熟、產能較高，而單全自動晶圓拋光后清洗機的優勢在于清洗精度高，背面、斜面及邊緣都能得到有效的清洗，避免了晶圓片之間的交叉污染。

洗刷器在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。

全自動晶圓拋光后清洗機采取旋轉噴淋的方式，但配合機械擦拭，有高壓和軟噴霧等多種可調節模式，用于適合以去離子水清洗的工藝中，包括鋸晶圓、晶 圓磨薄、晶圓拋光、研磨、CVD 等環節中，尤其是在晶圓拋光后清洗中占有重要地位。

在晶圓的加工中，需要對晶圓進行化學機械拋光處理，拋光處理后的晶圓需要進行清洗作業。在晶圓的清洗工序中，往往是需要對晶圓進行固定，再進行清洗。由于晶圓的特殊性，對晶圓進行夾持會損壞晶圓表面；將晶圓進行固定，清洗效果并不好，為此我們發明了一種晶圓清洗機。

全自動晶圓拋光后清洗機特點：

晶圓*大 300mm PVA

雙面清洗雙面刷洗

PVA雙面刷洗

全自動晶圓拋光后清洗機支持4路化學液清洗，包括氨水與SCI

工作臺含驅動組件，用于晶圓低速旋轉（50-100 rpm）

化學清洗臂含 4 路化學液

去離子水和稀釋氨分配的水坑噴嘴

全自動晶圓拋光后清洗機去離子水的 BSR（背面沖洗）噴嘴

帶有流通孔的工藝室

標配三種不同化學品供應系統

工藝室外的手動去離子水槍。

全自動晶圓拋光后清洗機化學液可加熱，*高可達 60°C（*高85°C ）

外部可更換化學液

支持兆聲清洗

支持高壓等離子水沖洗