氮化硅陶瓷制作工藝流程

制備工藝流程：鹵化硅氨解法：鹵化硅氨解法是指(1)硅的鹵化物（SiCl4、SiBr等）或硅的氫鹵化物（SiHCl3、SiH2Cl2、SiHI等）與氨氣或者氮氣發生化學氣應，生成氮化硅；或者(2)在低溫下先由硅的鹵化物或氫鹵化物生成硅亞胺，再由硅亞胺加熱分解得到氮化硅兩種反應方法的反應方程式如下所示：因為(1)中反應物是鹵化硅和氨氣，又是在氣相中反應，通常可以制得高純的α-Si3N4或無定形氮化硅粉末而(2)反應的關鍵是要制得純的硅亞胺，通過硅亞胺的熱分解可以直接制得很純的α-Si3N4粉末；反應速度也比較快，至今已開始應用于生產非晶氮化硅薄膜如果作為合成氮化硅微晶的方法，此路徑相對比較長，且需要低溫條件。

燒結工藝流程：反應燒結法（RS) 是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經預氮化（部分氮化）燒結處理，預氮化后的生坯已具有一定的強度，可以進行各種機械加工（如車、刨、銑、鉆).后，在硅熔點的溫度以上；將生坯再一次進行完全氮化燒結，得到尺寸變化很小的產品（即生坯燒結后，收縮率很小，線收縮率該產品一般不需研磨加工即可使用反應燒結法適于制造形狀復雜，尺寸**的零件，成本也低，但氮化時間很長。