HN1000B 斷路器剩余電流保護器動作特性測試儀（分A型AC型B型F型） B型剩余電流斷路器測試儀（以下簡稱測試儀）是為剩余電流斷路器的性能測試而研制，它是檢測B型剩余電流斷路器脫扣電流和分斷時間的關(guān)鍵儀器。
測試儀適用于電子式和電磁式的剩余電流斷路器。
1P+N、2P、、+N、4P的斷路器均能測試，輸出大剩余電流為2A。
系統(tǒng)顯示和操作采用流行的工業(yè)級觸摸屏，操作簡單； 接地方式：可靠接地   測試儀輸出的電流值為真有效值，測試不確定度小于1%； （2）50Hz交流剩余電流范圍：0~2A； 選項角為0°的脈動直流剩余電流，電流的范圍為0~800mA； 選項角為135°的直流剩余電流，電流的范圍為0~200mA； （5）疊加平滑直流的范圍為5~100mA；  50Hz工頻電磁場干擾是硬件開發(fā)中難以避免的問題，特別是敏感測量電路中，工頻電磁場會使測量信號淹沒在工頻波形里，嚴重影響測量穩(wěn)定度，故消除工頻電磁場干擾是敏感測量電路設(shè)計中不可逃避的挑戰(zhàn)。
PT100是當(dāng)前應(yīng)用為廣泛的測溫方案，各位工程師在應(yīng)用此方案時是否會遇到這樣的問題：為什么PT100測溫電路會存在周期性小波動？該如何解決？其實出現(xiàn)這樣的現(xiàn)象主要可能是存在如下幾個原因：50Hz工頻電磁場的影響；周圍電機或者繼電器等開關(guān)動作造成的群脈沖干擾；傳導(dǎo)進去系統(tǒng)的工頻共模干擾。
蘭色段開始變彎曲，斜率逐漸變小。
紅色段就幾乎變成水平了，這就是“飽和”。
實際上，飽和是一個漸變的過程，蘭色段也可以認為是初始進入飽和的區(qū)段。
在實際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。
在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸，與Ic=50MA的水平線相交，交點對應(yīng)的Ib值就是臨界飽和的Ib值。
圖中可見該值約為0.25mA。
由圖可見，根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶體管進入了初始飽和狀態(tài)，實際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達到真正的飽和；倍數(shù)越大，飽和程度就越深。
WLP(WaferLevelPackaging)：晶圓級封裝，是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過改進和提高的CSP，直接在晶圓上進行大多數(shù)或是全部的封裝測試程序，之后再進行切割制成單顆組件的方式。
上述封裝方式中，系統(tǒng)級封裝和晶圓級封裝是當(dāng)前受到熱捧的兩種方式。
系統(tǒng)級封裝因涉及到材料、工藝、電路、器件、半導(dǎo)體、封裝及測試等，在發(fā)展的過程中對以上域都將起到帶動作用促進電子制造產(chǎn)業(yè)進步。
晶圓級封裝可分為扇入型和扇出型，IC制造域巨頭臺積電能夠拿下蘋果A10訂單，其開發(fā)的集成扇出型封裝功不可沒。