半自動晶圓腐蝕清洗機是晶圓蝕刻清潔系統,滿足晶片、光掩模和基板蝕刻清洗特定工藝需求。

非常適合蝕刻和清潔從小直徑到超大直徑的各種尺寸的晶片、光掩模和基板。晶圓蝕刻清洗機CESx可配置多個過程分配選項，從用于DI-H2O或化學的Megasonic噴嘴；用于化學配藥的低壓噴嘴；化學和DI-H2O加熱器；用于表面攪拌以加速反應的刷子和/或DI-H2O；還有更多。

半自動晶圓腐蝕清洗機可編程拋物線臂運動有助于確保均勻蝕刻。快速有效的干燥技術結合了可變的旋轉速度；可選加熱的DI-H2O；和氮輔助。非常安全，具有“沖洗至pH”功能，可在接觸基質之前去除腔室內的任何化學物質。

適合直徑不超過9x9英寸/300mm直徑的基片

半自動晶圓腐蝕清洗機具有無刷伺服電機的主軸組件用于**的速度控制和分度。

擺動式分配臂，速度可調&行程位置&可編程拋物線行程。

徑向排氣室，*大層流在蓋的頂部與N2進料一起流動。

半自動晶圓腐蝕清洗機用于清潔和干燥輔助的DI-H2O加熱器。

符合FM4910的PVDF工藝室，含PTFE涂層不銹鋼表面&獨立聚丙烯機柜，不銹鋼內部帶泄漏的框架和集成二次安全殼偵查
微處理器控制，能夠保持三十（30）個食譜在內存中有三十（30）個步驟。

用清水沖洗至整個工藝區域和基材的pH值聯鎖裝置禁止進入工藝區和控制區排水和主軸速度，直到安全。