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在學習S7-300和S7-400系統的過程中，接觸到了冗余的概念，300采用的是軟冗余，400呢？既可以軟冗余又可以硬冗余。兩者的冗余功能是相同的，究竟有什么區別呢？

一、概念

軟冗余通俗的講就是軟件冗余，軟件冗余 (SWR) 是一個軟件包，可以應用于對主備系統切換時間要求不高的控制系統中，需要安裝

硬冗余是指物理上的硬件冗余，通過同步模塊使兩套互為冗余的系統進行實時數據交換、通訊。

二、 兩者的區別

1、軟冗余是通過軟件冗余包實現的冗余，軟冗余是兩個獨立運行的CPU通過標準的通信接口，如MPI口或者PROFIBUS-DP模塊或者以太網模塊進行數據的同步，I/O 設備的連接是通過兩個冗余 PROFIBUS DP 網絡與帶有冗余IM 153-2接口模塊的ET-200M 站實現。通俗的說就是軟冗余實際上就是CPU之間的冗余和DP網絡的冗余，主、備系統通過軟冗余專用程序進行數據交換，備份以及故障切換。

硬冗余是通過同步光纜和同步模塊實現的冗余功能，不需要軟件包支持。

2、軟冗余主、備系統的CPU型號可以不同，例如一個為300，一個為400；硬冗余主、備系統的CPU型號必須相同。

3、軟冗余的數據同步是周期性同步；硬冗余數據同步是時間同步。

3、軟冗余中主cpu工作時，備用cpu是暖待機，也就是說當主 CPU 正在處理程序組件時，備用CPU 則跳過這些程序，這樣可以防止在兩個程序組件中出現不一 致，也就是待機站上的程序一直準備接管程序進行處理。軟冗余系統中，主、備系統切換時間長，一般為秒級。

硬冗余的主CPU和備用CPU都處于RUN模式，兩個CPU同步地處理用戶程序，主站故障后，備用cpu可以立即進行切換，兩個 CPU 的處理密切協調，時間為毫秒級。

4、當dp從站的接口或profibus鏈路故障，軟冗余的主備cpu會進行切換，而硬冗余系統中，從站故障不會出現主、備cpu切換的情況。

5、軟冗余不支持IO冗余，IO冗余只能在硬冗余中實現。

注意：400系統只有400H才能實現硬冗余。

散逸因數─損失角
    散逸因數dissipation factor(DF)存在於所有電容器中，有時DF值會以損失角tanδ表示。想想，損失角，既有損失，當然愈低愈好。塑料電容的損失角很低，但鋁電解電容就相當高。DF值是高還是低，就同一品牌、同一系列的電容器來說，與溫度、容量、電壓、頻率……都有關系；當容量相耐壓愈高的DF值就愈低。舉實例做說明，同廠牌同系列的10000μF電容，耐壓80V的DF值一定比耐壓63V的低。所本刊選用濾波電容常會找較高耐壓者，不是沒有道理。溫度愈高DF值愈高，頻率愈高DF值也會愈高。
    但許多電容器制造廠，在規格書上常不注明散逸因數DF值，因為數值甚高很難看。以瑞典RIFA為例，其藍色PHE-420系列是MKP塑料電容，它的DF值是0.00005/最高是0.0008。但白色*級PEH169系列鋁質電解電容，就未標示損失角規格。若真注明DF值，可能會是1.0000，小數點是在1的後面。

漏…漏電流
    哇！漏電！zuihao沒有。可是沒辦法，鋁電解電容在工作時一定會產生漏電流。
    漏電流(leakage current)當然要低，它的計算公式大致是:I＝K×CV。漏電流I的單位是μA，K是常數，例如是或0.03，每家制造廠會選擇不同的常數。但不論如何，電容器容量愈高，漏電流就愈大。如果你有容量愈大平滑效果愈好的想法，這個「漏電流」也請考慮在內。從計算式可得知額定電壓愈高，漏電流也愈大，降低工作電壓亦可降低漏電流。
    但降低電容器的漏電流并不容易，低漏電流low leakage current-LL系列價格高昂，我曾向國內廠商訂制一批低漏電流LL系列電容，價格比許多進口電容還貴。漏電流規格，鋁電解電容就比鉭電解電容差許多，鉭質電容也有乾式及濕式兩種，它的容量及耐壓都較低。
    除特別定制外，面對一般品，想要降低它的漏電流可設法提高Vs對Vr的比值。Vs是涌浪電壓，其值當然比Vr額定電壓高，但施加電壓(真正的工作電壓)還應該比Vr低，例如取Vr的90％；找高耐壓品種可說是正確。

等效串聯電阻ESR
    一只電容器會因其構造而產生各種阻抗、感抗，比較重要的就是ESR等效串聯電阻及ESL等效串聯電感─這就是容抗的基礎。電容器提供電容量，要電阻干嘛？故ESR及ESL也要求低…低；但low ESR/low ESL通常都是gaoji系列。
    ESR的高低，與電容器的容量、電壓、頻率及溫度…都有關，當額定電壓固定時，容量愈大 ESR愈低。有人習用將多顆小電容并接成一顆大電容以降低阻抗，其理論是電阻并聯阻值降低。但若考慮電容接腳焊點的阻抗，以小并大，不見得一定會有收獲。
    反過來說，當容量固定時，選用高WV額定電壓的品種也能降低 ESR；故耐壓高確實好處多多。頻率的影響：低頻時ESR高，高頻時ESR低；當然，高溫也會造成ESR的提升。
    串聯等效電阻ESR的單位是mΩ，gaoji系列電容常是low ESR及low ESL。若比較低內阻及低漏電流兩種特性，則低內阻容易達成，故標示low ESR的電容倒很常見。ESR與損失角有關聯，ESR＝tanδ/(ω×Cs)，Cs是電容量。
    有時電容器規格上會有Z，它與ESR的意義不同，但Z的計算示與ESR有關，也考慮到容抗及感抗，是真正的內阻。剛才提到電容的ESR單位是mΩ，那是指大電容，若是220μF小容量電容，其ESR單位就不是mΩ而是Ω。何種電容器的ESR？只有一個：Sanyo的OS有機半導體電容！